Корзина
Заполняйте все Ваши данные в корзине для быстрой отправки!
BeSimple
Корзина
Чип 30F131 GT30F131 TO-263-2 Транзистор IGBT, фото 1

Чип 30F131 GT30F131 TO-263-2 Транзистор IGBT

  • В наличии

Цену уточняйте

+380 (73) 948-53-67
Бесплатная входящая линия

Заказ только по телефону

возврат товара в течение 14 дней бесплатно
Чип 30F131 GT30F131 TO-263-2 Транзистор IGBT
Чип 30F131 GT30F131 TO-263-2 Транзистор IGBTВ наличии
Цену уточняйте
+380 (73) 948-53-67
Бесплатная входящая линия
Описание
Характеристики
Информация для заказа

Биполярный транзистор с изолированным затвором 30F131 в корпусе TO-263-2 для использования в плазменных панелях.

  • Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 300 В
  • Максимальный ток коллектор-эмиттер: 200 А
  • Напряжение насыщения при номинальном токе: 1.9 В
  • Мощность: 140 Вт
Основные
ПроизводительCNV
  • Цена: Цену уточняйте